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RJK0331DPB-00-J0 参数 Datasheet PDF下载

RJK0331DPB-00-J0图片预览
型号: RJK0331DPB-00-J0
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内容描述: 硅N通道功率MOS FET电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
文件页数/大小: 7 页 / 113 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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RJK0331DPB
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Normalized Transient Thermal Impedance
γ
s (t)
3
Tc = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
θch
– c (t) =
γ
s (t) •
θch
– c
θch
– c = 2.5°C/W, Tc = 25°C
P
DM
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
D=
PW
T
0.05
0.03
2
0.0
lse
1
t pu
0.0
ho
1s
0.01
10
µ
100
µ
Pulse Width PW (s)
Avalanche Test Circuit
Avalanche Waveform
1
2
L
I
AP2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
(BR)DSS
I
AP
V
DD
V
DS
V
DS
Monitor
L
I
AP
Monitor
E
AR
=
Rg
D. U. T
I
D
Vin
15 V
50
0
V
DD
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
D.U.T.
Rg
R
L
V
DS
= 10 V
Vin
Vout
Vin
10 V
Vout
Monitor
Switching Time Waveform
90%
10%
10%
10%
90%
td(on)
tr
90%
td(off)
tf
REJ03G1640-0400 Rev.4.00 Apr 10, 2008
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