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    GRM155B31H103KA88 参数 Datasheet PDF下载

    GRM155B31H103KA88图片预览
    型号： GRM155B31H103KA88
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅锗RF晶体管的低噪声，高增益 [NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 16 页 / 176 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号GRM155B31H103KA88的Datasheet PDF文件第1页浏览型号GRM155B31H103KA88的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GRM155B31H103KA88的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GRM155B31H103KA88的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GRM155B31H103KA88的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GRM155B31H103KA88的Datasheet PDF文件第7页浏览型号GRM155B31H103KA88的Datasheet PDF文件第8页浏览型号GRM155B31H103KA88的Datasheet PDF文件第9页  
    NESG3033M14  
    DC CURRENT GAIN vs.  
    COLLECTOR CURRENT  
    DC CURRENT GAIN vs.  
    COLLECTOR CURRENT  
    1 000  
    1 000  
    100  
    10  
    V
    CE = 1 V  
    VCE = 2 V  
    100  
    10  
    0.1  
    1
    10  
    (mA)  
    100  
    0.1  
    1
    10  
    (mA)  
    100  
    Collector Current I  
    C
    Collector Current I  
    C
    DC CURRENT GAIN vs.  
    COLLECTOR CURRENT  
    1 000  
    V
    CE = 3 V  
    100  
    10  
    0.1  
    1
    10  
    (mA)  
    100  
    Collector Current I  
    C
    Remark The graphs indicate nominal characteristics.  
    R09DS0049EJ0300 Rev.3.00  
    Sep 14, 2012  
    Page 5 of 14  

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