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    GRM155B31H103KA88 参数 Datasheet PDF下载

    GRM155B31H103KA88图片预览
    型号： GRM155B31H103KA88
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅锗RF晶体管的低噪声，高增益 [NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 16 页 / 176 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号GRM155B31H103KA88的Datasheet PDF文件第1页浏览型号GRM155B31H103KA88的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GRM155B31H103KA88的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GRM155B31H103KA88的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GRM155B31H103KA88的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GRM155B31H103KA88的Datasheet PDF文件第7页浏览型号GRM155B31H103KA88的Datasheet PDF文件第8页浏览型号GRM155B31H103KA88的Datasheet PDF文件第9页  
    NESG3033M14  
    RECOMMENDED OPERATING RANGE (TA = +25°C)  
    Parameter  
    Symbol  
    Pin  
    MIN.  
    TYP.  
    MAX.  
    0
    Unit  
    dBm  
    kΩ  
    Input Power  
    Base Feedback Resister  
    −
    −
    −
    −
    Rb  
    100  
    Remark When the voltage return bias circuit like the figure below is used, a current increase is seen because the  
    ESD protection element is turned on when recommended range of motion in the above table is exceeded.  
    However, there is no influence of reliability, including deterioration.  
    R
    b
    Bias  
    Choke  
    R09DS0049EJ0300 Rev.3.00  
    Sep 14, 2012  
    Page 2 of 14  

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