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HYB18T512161BF-20 参数 Datasheet PDF下载

HYB18T512161BF-20图片预览
型号: HYB18T512161BF-20
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内容描述: 512 - Mbit的X16 DDR2 SDRAM [512-Mbit x16 DDR2 SDRAM]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 41 页 / 2261 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
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Internet Data Sheet  
HYB18T512161BF–20/22/25/28/33  
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM  
5.7.2  
AC Timing Parameters  
List of Timing Parameters  
TABLE 29  
Timing Parameter by Speed Grade  
Parameter  
Symbol –20  
Min.  
–22  
–25  
Unit Note1)  
2)3)4)5)6)  
Max. Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
DQ output access time from CK /  
CK  
tAC  
–450  
+450 –450  
+450  
–500  
+500  
ps  
CAS A to CAS B command period tCCD  
CK, CK high-level width tCH  
2
2
2
tCK  
tCK  
tCK  
0.45  
3
0.55  
0.45  
3
0.55  
0.45  
3
0.55  
CKE minimum high and low pulse tCKE  
width  
CK, CK low-level width  
tCL  
0.45  
0.55  
0.45  
0.55  
0.45  
0.55  
tCK  
7)18)  
Auto-Precharge write recovery +  
precharge time  
tDAL  
WR + tRP  
WR + tRP  
WR + tRP  
tCK  
8)  
Minimum time clocks remain ON  
after CKE asynchronously drops  
LOW  
tDELAY  
tIS + tCK  
tIH  
+
––  
tIS + tCK  
tIH  
+
––  
tIS + tCK  
tIH  
+
––  
ns  
9)  
DQ and DM input hold time  
(differential data strobe)  
tDH  
145  
-105  
0.35  
–450  
0.35  
––  
––  
220  
-30  
––  
250  
0
––  
ps  
9)  
DQ and DM input hold time (single tDH1  
ended data strobe)  
––  
––  
ps  
DQ and DM input pulse width (each tDIPW  
input)  
0.35  
0.35  
–500  
0.35  
tCK  
9)  
DQS output access time from CK / tDQSCK  
CK  
+450 –450  
+450  
+500  
ps  
DQS input low (high) pulse width  
(write cycle)  
tDQSL,H  
tDQSQ  
0.35  
tCK  
10)  
DQS-DQ skew (for DQS &  
associated DQ signals)  
450  
450  
450  
ps  
Write command to 1st DQS latching tDQSS  
transition  
WL –  
0.25  
WL + WL –  
WL +  
0.25  
WL –  
0.25  
WL +  
0.25  
tCK  
0.25  
0.25  
9)  
DQ and DM input setup time  
(differential data strobe)  
tDS  
20  
95  
––  
––  
125  
––  
––  
ps  
9)  
DQ and DM input setup time (single tDS1  
ended data strobe)  
-105  
0.2  
0.2  
-30  
0.2  
0.2  
0
ps  
DQS falling edge hold time from CK tDSH  
(write cycle)  
0.2  
0.2  
tCK  
tCK  
DQS falling edge to CK setup time tDSS  
(write cycle)  
11)  
Clock half period  
tHP  
MIN. (tCL, tCH  
)
MIN. (tCL, tCH  
)
MIN. (tCL, tCH  
)
12)  
Data-out high-impedance time from tHZ  
tAC.MAX  
tAC.MAX  
tAC.MAX ps  
CK / CK  
Rev. 1.43, 2006-11  
27  
03292006-L40N-L04G  
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