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    HYB18T1G400C2C-3 参数 Datasheet PDF下载

    HYB18T1G400C2C-3图片预览
    型号： HYB18T1G400C2C-3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, PLASTIC, TFBGA-60]
    分类和应用： 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
    文件页数/大小： 68 页 / 3874 K
    品牌： QIMONDA [ QIMONDA AG ]
     浏览型号HYB18T1G400C2C-3的Datasheet PDF文件第19页浏览型号HYB18T1G400C2C-3的Datasheet PDF文件第20页浏览型号HYB18T1G400C2C-3的Datasheet PDF文件第21页浏览型号HYB18T1G400C2C-3的Datasheet PDF文件第22页浏览型号HYB18T1G400C2C-3的Datasheet PDF文件第24页浏览型号HYB18T1G400C2C-3的Datasheet PDF文件第25页浏览型号HYB18T1G400C2C-3的Datasheet PDF文件第26页浏览型号HYB18T1G400C2C-3的Datasheet PDF文件第27页  
    Internet Data Sheet  
    HY[B/I]18T1G[40/80/16]0C2[C/F]  
    1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM  
    Field  
    Bits Type1)  
    Description  
    RTT  
    6,2  
    w
    Nominal Termination Resistance of ODT  
    Note: See Table 22 “ODT DC Electrical Characteristics” on Page 30  
    00B RTT ∞ (ODT disabled)  
    01B RTT 75 Ohm  
    10B RTT 150 Ohm  
    11B RTT 50 Ohm  
    DIC  
    DLL  
    1
    0
    w
    w
    Off-chip Driver Impedance Control  
    0B  
    1B  
    DIC Full (Driver Size = 100%)  
    DIC Reduced  
    DLL Enable  
    0B  
    1B  
    DLL Enable  
    DLL Disable  
    1) w = write only register bits  
    Rev. 1.02, 2008-01  
    23  
    09262007-3YK7-BKKG  

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