BSH111 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSH111
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内容描述：	N沟道增强模式音响场效晶体管 [N-channel enhancement mode field-effect transistor]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	13 页 / 108 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

飞利浦半导体

BSH111

N沟道增强模式音响场效晶体管

8.特点

表5 ：性质

= 25

C除非另有规定编

符号

（ BR ） DSS

参数

漏源击穿

电压

条件

= 10

µA;

= 0 V

= 25

°C

−55 °C

GS （ TH）

栅源阈值电压I

= 1毫安; V

= V

;

图9

= 25

°C

= 150

°C

−55 °C

DSS

漏极 - 源极漏电流

= 44 V; V

= 0 V

= 25

°C

= 150

°C

GSS

DSON

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

±8

V; V

= 0 V

= 2.5 V ;我

= 75毫安;

图7

和

= 25

°C

= 150

°C

= 4.5 V ;我

= 500毫安;

图7

和

= 25

°C

= 1.8 V ;我

= 75毫安;

图7

和

= 25

°C

动态特性

G（ TOT ）

国际空间站

OSS

RSS

关闭

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

= 50 V ; ř

= 250

Ω;

= 10 V ; ř

= 50

Ω;

= 50

Ω

= 0 V; V

= 10 V;

F = 1兆赫;

图12

= 10 V ;我

= 200毫安;

图11

= 0.5 A; V

= 44 V;

= 8 V;

图14

100

380

1.0

0.05

0.5

3.1

Ω

2.3

Ω

2.4

7.4

Ω

0.01

1.0

100

µA

0.4

0.3

1.0

1.3

2.5

民

典型值

最大

单位

静态特性

9397 750 09629

产品数据

牧师02 - 2002年4月26日

5 13

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