BSH111 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSH111
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内容描述：	N沟道增强模式音响场效晶体管 [N-channel enhancement mode field-effect transistor]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	13 页 / 108 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

飞利浦半导体

BSH111

N沟道增强模式音响场效晶体管

5.快速参考数据

表2：

合计

DSON

快速参考数据

条件

°C ≤

≤

150

°C

= 25

°C;

= 4.5 V

= 25

°C

= 4.5 V ;我

= 500毫安

= 2.5 V ;我

= 75毫安

= 1.8 V ;我

= 75毫安

典型值

2.3

2.4

3.1

最大

335

0.83

150

4.0

5.0

8.0

单位

°C

Ω

漏极 - 源极电压（直流）

漏电流（ DC ）

总功耗

结温

漏源导通电阻

符号参数

6.极限值

表3 ：限制值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号参数

DGR

漏极 - 源极电压（直流）

漏极 - 栅极电压（直流）

栅源电压

漏电流（ DC ）

= 25

°C;

= 4.5 V;

图2

和

= 100

°C;

= 4.5 V;

图2

合计

英镑

峰值漏极电流

总功耗

储存温度

结温

源（二极管的正向）直流（DC）

峰源（二极管正向）电流

= 25

°C

= 25

°C;

脉冲;吨

≤

µs

= 25

°C;

脉冲;吨

≤

µs;

科幻gure 3

= 25

°C;

图1

条件

°C ≤

≤

150

°C

°C ≤

≤

150

°C;

= 20 kΩ

民

−65

最大

±10

335

212

1.3

0.83

+150

335

1.3

单位

°C

源极 - 漏极二极管

9397 750 09629

产品数据

牧师02 - 2002年4月26日

2 13

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