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    BSH111 参数 Datasheet PDF下载

    BSH111图片预览
    型号： BSH111
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    内容描述： N沟道增强模式音响场效晶体管 [N-channel enhancement mode field-effect transistor]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 13 页 / 108 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号BSH111的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSH111的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSH111的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BSH111的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BSH111的Datasheet PDF文件第10页浏览型号BSH111的Datasheet PDF文件第11页浏览型号BSH111的Datasheet PDF文件第12页浏览型号BSH111的Datasheet PDF文件第13页  
    飞利浦半导体
    BSH111
    N沟道增强模式音响场效晶体管
    1
    IS
    (A)
    0.8
    03aa77
    8
    VGS
    (V)
    6
    03ab08
    0.6
    150
    °C
    4
    0.4
    TJ = 25
    °C
    2
    0.2
    0
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    VSD （V）的
    0
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    QG （ NC ）
    1
    T
    j
    = 25
    °C
    150
    °C;
    V
    GS
    = 0 V
    I
    D
    = 0.5 A; V
    DS
    = 44 V
    图13.来源（二极管的正向）的电流的一个函数
    源极 - 漏极（二极管的正向）电压;典型
    值。
    图14栅极 - 源极电压作为栅极的功能
    充电;典型值。
    9397 750 09629
    ©皇家飞利浦电子有限公司2002年版权所有。
    产品数据
    牧师02 - 2002年4月26日
    9 13

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