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型号: BSH111
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内容描述: N沟道增强模式音响场效晶体管 [N-channel enhancement mode field-effect transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 108 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
BSH111
N沟道增强模式音响场效晶体管
03aa17
120
PDER
(%)
120
I
DER
(%)
80
03aa25
80
40
40
0
0
50
100
150
TSP ( ° C)
200
0
0
50
100
150
200
TSP
(°C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
4.5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1,归一化的总功耗为
功能的焊料点的温度。
10
ID
(A)
图2.归连续漏极电流为
功能的焊料点的温度。
03aa71
限制导通电阻= VDS / ID
1
TP = 10
µ
s
100
µ
s
10-1
1毫秒
DC
10毫秒
100毫秒
10-2
1
10
102
VDS ( V)
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 09629
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产品数据
牧师02 - 2002年4月26日
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