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BSH111 参数 Datasheet PDF下载

BSH111图片预览
型号: BSH111
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内容描述: N沟道增强模式音响场效晶体管 [N-channel enhancement mode field-effect transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 108 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
BSH111
N沟道增强模式音响场效晶体管
7.热特性
表4:
符号
R
日(J -SP )
R
号(j -a)的
热特性
参数
热阻结到
焊锡点
热阻结到
环境
条件
安装在金属复合
基板;
图4
最小的足迹;安装在
印刷电路板
-
-
典型值
-
350
最大
150
-
单位
K / W
K / W
7.1瞬态热阻抗
103
第Z (J -SP )
(K / W)
03aa69
102
δ
= 0.5
0.2
0.1
10
0.05
0.02
tp
T
t
P
δ
=
tp
T
单脉冲
1
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
10
TP (多个)
安装在金属箔的基板。
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点,作为脉冲持续时间的函数。
9397 750 09629
©皇家飞利浦电子有限公司2002年版权所有。
产品数据
牧师02 - 2002年4月26日
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