IRF640 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF640
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内容描述：	N沟道晶体管的TrenchMOS [N-channel TrenchMOS transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	9 页 / 97 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

Philips Semiconductors

Product specification

N-channel TrenchMOS™ transistor

IRF640, IRF640S

Source-Drain Diode Current, IF (A)

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.1

1.2

Source-Drain Voltage, VSDS (V)

175 C

Tj = 25 C

VGS = 0 V

100

Maximum Avalanche Current, I

(A)

25 C

Tj prior to avalanche = 150 C

0.1

0.001

0.01

0.1

Avalanche time, t

(ms)

Fig.13. Typical reverse diode current.

= f(V

SDS

); conditions: V

= 0 V; parameter T

Fig.14. Maximum permissible non-repetitive

avalanche current (I

) versus avalanche time (t

);

unclamped inductive load

August 1999

Rev 1.100

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