IRF640 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF640
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内容描述：	N沟道晶体管的TrenchMOS [N-channel TrenchMOS transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	9 页 / 97 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

Philips Semiconductors

Product specification

N-channel TrenchMOS™ transistor

IRF640, IRF640S

REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS

= 25˚C unless otherwise specified

SYMBOL PARAMETER

Continuous source current

(body diode)

Pulsed source current (body

diode)

Diode forward voltage

Reverse recovery time

Reverse recovery charge

CONDITIONS

MIN.

= 18 A; V

= 0 V

= 18 A; -dI

/dt = 100 A/µs;

= 0 V; V

= 25 V

TYP. MAX. UNIT

1.0

130

0.8

1.5

µC

August 1999

Rev 1.100

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