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    BSP225 参数 Datasheet PDF下载

    BSP225图片预览
    型号： BSP225
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    内容描述： P沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 [P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管
    文件页数/大小： 12 页 / 80 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号BSP225的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BSP225的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSP225的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSP225的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSP225的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSP225的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BSP225的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BSP225的Datasheet PDF文件第9页  
    Philips Semiconductors
    Product specification
    P-channel enhancement mode vertical
    D-MOS transistor
    BSP225
    handbook, halfpage
    VDD =
    −50
    V
    handbook, halfpage
    10 %
    INPUT
    90 %
    0V
    −10
    V
    ID
    50
    Ω
    MBB689
    10 %
    OUTPUT
    90 %
    ton
    toff
    MBB690
    Fig.2 Switching time test circuit.
    Fig.3 Input and output waveforms.
    handbook,
    2
    MBB693
    Ptot
    (W)
    1.6
    handbook, halfpage
    −1
    MDA706
    ID
    VGS =
    −10
    V
    −6
    V
    (A)
    −0.8
    1.2
    −0.6
    −5
    V
    0.8
    −0.4
    −4
    V
    0.4
    −0.2
    −3
    V
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    Tamb (°C)
    0
    0
    −5
    −10
    −15
    −20
    −25
    VDS (V)
    Fig.4 Power derating curve.
    Fig.5 Typical output characteristics; T
    j
    = 25
    °C.
    April 1995
    5

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