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    BSP225 参数 Datasheet PDF下载

    BSP225图片预览
    型号： BSP225
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    内容描述： P沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 [P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管
    文件页数/大小： 12 页 / 80 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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    Philips Semiconductors
    Product specification
    P-channel enhancement mode vertical
    D-MOS transistor
    BSP225
    handbook, halfpage
    1.1
    k
    1
    MDA711
    0.9
    0.8
    0.7
    −50
    0
    50
    100
    Tj (°C)
    150
    Fig.10 Temperature coefficient of gate-source
    threshold voltage;
    –
    V
    GS
    (
    th
    )
    at T
    j
    -
    k
    = -----------------------------------------------
    ;
    –
    V
    GS
    (
    th
    )
    at 25
    °C
    typical V
    GS(th)
    at
    −1
    mA.
    April 1995
    7

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