BF998R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BF998R
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内容描述：	硅N沟道双栅MOS- FET的 [Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs]
分类和应用：	栅
文件页数/大小：	12 页 / 117 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs

BF998; BF998R

handbook, full pagewidth

VDD

Vagc

1 nF

VDD

1 nF

140 kΩ

100 kΩ

1 nF

270 kΩ

Ω

input

1 nF

2 to 18 pF

0.5 to 3.5 pF

1.8 kΩ

360

Ω

1 nF

Ω

output

0.5 to

3.5 pF

4 to 40 pF

MGE801

VDD

= 12 V; G

= 3.3 mS; G

= 1 mS.

L1 = L4 = 200 nH; 11 turns 0.5 mm copper wire, without spacing, internal diameter 3 mm.

L2 = 2 cm, silvered 0.8 mm copper wire, 4 mm above ground plane.

L3 = 2 cm, silvered 0.5 mm copper wire, 4 mm above ground plane.

Fig.18 Gain control test circuit at f = 800 MHz.

1996 Aug 01

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