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    FDD86102 参数 Datasheet PDF下载

    FDD86102图片预览
    型号： FDD86102
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，36 A，24 mΩ]
    分类和应用： 开关脉冲晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 581 K
    品牌： ONSEMI [ ONSEMI ]
     浏览型号FDD86102的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDD86102的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDD86102的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDD86102的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDD86102的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDD86102的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDD86102的Datasheet PDF文件第8页  
    Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted  
    2
    DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER  
    1
    D = 0.5  
    0.2  
    0.1  
    0.05  
    0.02  
    P
    DM  
    0.1  
    0.01  
    t
    1
    t
    2
    NOTES:  
    DUTY FACTOR: D = t /t  
    SINGLE PULSE  
    θJC = 2 oC/W  
    1
    2
    PEAK T = P  
    x Z  
    x R  
    + T  
    J
    DM  
    θJC  
    θJC C  
    R
    0.01  
    10-5  
    10-4  
    10-3  
    t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)  
    10-2  
    10-1  
    1
    Figure 13. Junction-to-Case Transient Thermal Response Curve  
    5
    www.fairchildsemi.com  
    ©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
    FDD86102 Rev.1.9  

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