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    FDD10N20LZTM 参数 Datasheet PDF下载

    FDD10N20LZTM图片预览
    型号： FDD10N20LZTM
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，UniFETTM，200 V，7.6 A，360 mΩ，DPAK]
    分类和应用： 开关脉冲晶体管
    文件页数/大小： 10 页 / 720 K
    品牌： ONSEMI [ ONSEMI ]
     浏览型号FDD10N20LZTM的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDD10N20LZTM的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDD10N20LZTM的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDD10N20LZTM的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDD10N20LZTM的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDD10N20LZTM的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FDD10N20LZTM的Datasheet PDF文件第9页浏览型号FDD10N20LZTM的Datasheet PDF文件第10页  
    I
    = const.  
    G
    Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform  
    RL  
    VDS  
    90%  
    VDS  
    VDD  
    VGS  
    RG  
    10%  
    VGS  
    DUT  
    V
    GS  
    td(on)  
    tr  
    td(off)  
    tf  
    t on  
    t off  
    Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms  
    VGS  
    Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms  
    www.fairchildsemi.com  
    ©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
    FDD10N20LZ Rev. C1  
    5

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