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A2V07H525-04N 参数 Datasheet PDF下载

A2V07H525-04N图片预览
型号: A2V07H525-04N
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内容描述: [N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 25 页 / 1056 K
品牌: NXP [ NXP ]
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P1dB – TYPICAL PEAKING SIDE LOAD PULL CONTOURS — 780 MHz  
1.5  
1.0  
1.5  
60  
62  
54.5  
1.0  
54  
E
E
55  
53.5  
64  
74  
55.5  
0.5  
0.5  
0
66  
72  
70  
68  
0
56  
P
P
–0.5  
–1.0  
–1.5  
–0.5  
–1.0  
–1.5  
57  
56.5  
54  
0.5  
55  
56  
0.5  
1.0  
1.5  
REAL ()  
2.0  
2.5  
1.0  
1.5  
REAL ()  
2.0  
2.5  
Figure 36. P1dB Load Pull Output Power Contours (dBm)  
Figure 37. P1dB Load Pull Efficiency Contours (%)  
1.5  
1.0  
1.5  
–8  
18  
–22  
–20  
1.0  
0.5  
E
E
17.5  
–18  
0.5  
–16  
–14  
–12  
17  
0
–0.5  
–1.0  
–1.5  
0
–10  
P
P
16.5  
–0.5  
–1.0  
–1.5  
16  
15.5  
14.5  
15  
–8  
0.5  
0.5  
1.0  
1.5  
REAL ()  
2.0  
2.5  
1.0  
1.5  
REAL ()  
2.0  
2.5  
Figure 38. P1dB Load Pull Gain Contours (dB)  
Figure 39. P1dB Load Pull AM/PM Contours ()  
NOTE:  
P
E
= Maximum Output Power  
= Maximum Drain Efficiency  
Gain  
Drain Efficiency  
Linearity  
Output Power  
A2V07H525--04NR6  
RF Device Data  
NXP Semiconductors  
19  
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