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A2V07H525-04N 参数 Datasheet PDF下载

A2V07H525-04N图片预览
型号: A2V07H525-04N
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内容描述: [N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 25 页 / 1056 K
品牌: NXP [ NXP ]
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P3dB – TYPICAL PEAKING SIDE LOAD PULL CONTOURS — 780 MHz  
1.5  
1.0  
1.5  
60  
62  
55  
55.5  
1.0  
0.5  
54.5  
56  
54  
E
E
74  
64  
0.5  
56.5  
66  
68  
72  
70  
0
0
60  
P
57  
P
–0.5  
–1.0  
–1.5  
–0.5  
–1.0  
–1.5  
58  
58  
57.5  
55  
0.5  
57  
56  
0.5  
1.0  
1.5  
REAL ()  
2.0  
2.5  
1.0  
1.5  
REAL ()  
2.0  
2.5  
Figure 40. P3dB Load Pull Output Power Contours (dBm)  
Figure 41. P3dB Load Pull Efficiency Contours (%)  
1.5  
1.5  
1.0  
16  
1.0  
E
E
–24  
–22  
15.5  
0.5  
0
0.5  
–26  
–20  
–18  
–28  
–16  
15  
14.5  
0
–14  
2.0  
P
P
–0.5  
–1.0  
–1.5  
–0.5  
–1.0  
–1.5  
–12  
14  
13.5  
12.5  
13  
0.5  
0.5  
1.0  
1.5  
REAL ()  
2.0  
2.5  
1.0  
1.5  
REAL ()  
2.5  
Figure 43. P3dB Load Pull AM/PM Contours ()  
Figure 42. P3dB Load Pull Gain Contours (dB)  
NOTE:  
P
E
= Maximum Output Power  
= Maximum Drain Efficiency  
Gain  
Drain Efficiency  
Linearity  
Output Power  
A2V07H525--04NR6  
RF Device Data  
NXP Semiconductors  
20  
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