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A2V07H525-04N 参数 Datasheet PDF下载

A2V07H525-04N图片预览
型号: A2V07H525-04N
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内容描述: [N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 25 页 / 1056 K
品牌: NXP [ NXP ]
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P1dB – TYPICAL CARRIER SIDE LOAD PULL CONTOURS — 780 MHz  
4
3
2
4
50.5  
51  
56  
58  
50  
49.5  
51.5  
3
E
E
52  
60  
70  
2
68  
62  
66  
64  
52.5  
1
0
1
0
P
P
53.5  
53  
51  
52  
52.5  
2
–1  
–1  
1
1
3
4
5
2
3
4
5
REAL ()  
REAL ()  
Figure 28. P1dB Load Pull Output Power Contours (dBm)  
Figure 29. P1dB Load Pull Efficiency Contours (%)  
4
4
22.5  
–12  
–10  
22  
3
3
2
–8  
E
E
21.5  
2
–6  
21  
1
1
0
20.5  
P
P
19  
20  
19.5  
0
–1  
–1  
1
1
2
3
4
5
2
3
4
5
REAL ()  
REAL ()  
Figure 30. P1dB Load Pull Gain Contours (dB)  
Figure 31. P1dB Load Pull AM/PM Contours ()  
NOTE:  
P
E
= Maximum Output Power  
= Maximum Drain Efficiency  
Gain  
Drain Efficiency  
Linearity  
Output Power  
A2V07H525--04NR6  
RF Device Data  
NXP Semiconductors  
17  
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