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A2V07H525-04N 参数 Datasheet PDF下载

A2V07H525-04N图片预览
型号: A2V07H525-04N
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内容描述: [N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 25 页 / 1056 K
品牌: NXP [ NXP ]
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P3dB – TYPICAL CARRIER SIDE LOAD PULL CONTOURS — 780 MHz  
4
3
2
4
58  
60  
52  
51.5  
52.5  
51  
3
2
E
50.5  
E
62  
53  
72  
64  
53.5  
66  
70  
68  
1
0
1
0
54  
58  
P
P
54.5  
56  
53  
53.5  
2
–1  
–1  
1
1
3
4
5
2
3
4
5
REAL ()  
REAL ()  
Figure 32. P3dB Load Pull Output Power Contours (dBm)  
Figure 33. P3dB Load Pull Efficiency Contours (%)  
4
4
3
2
–22  
–20  
20.5  
20  
3
19.5  
E
E
–18  
–16  
–14  
–12  
19  
2
18.5  
–10  
P
1
0
1
0
P
18  
17.5  
–8  
17  
–1  
–1  
1
1
2
3
4
5
2
3
4
5
REAL ()  
REAL ()  
Figure 34. P3dB Load Pull Gain Contours (dB)  
Figure 35. P3dB Load Pull AM/PM Contours ()  
NOTE:  
P
E
= Maximum Output Power  
= Maximum Drain Efficiency  
Gain  
Drain Efficiency  
Linearity  
Output Power  
A2V07H525--04NR6  
RF Device Data  
NXP Semiconductors  
18  
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