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A2I09VD015GNR1 参数 Datasheet PDF下载

A2I09VD015GNR1图片预览
型号: A2I09VD015GNR1
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内容描述: [RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers]
分类和应用:
文件页数/大小: 19 页 / 547 K
品牌: NXP [ NXP ]
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TYPICAL CHARACTERISTICS — 920–960 MHz  
–20  
–25  
–30  
–35  
–40  
–45  
–50  
35  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
V
= 48 Vdc, I  
= 16 mA, I  
= 84 mA  
DD  
DQ1(A+B)  
DQ2(A+B)  
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth  
Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%  
Probability on CCDF  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
D
960 MHz  
940 MHz  
920 MHz  
G
ps  
920 MHz  
940 MHz 960 MHz  
ACPR  
960 MHz  
940 MHz  
920 MHz  
0
20  
1
10  
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.  
P
out  
Figure 8. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain  
Efficiency and ACPR versus Output Power  
36  
34  
32  
30  
28  
26  
24  
V
P
= 48 Vdc  
= 0 dBm  
DD  
in  
I
I
= 16 mA  
= 84 mA  
DQ1(A+B)  
DQ2(A+B)  
Gain  
750  
800  
850  
900  
950  
1000 1050  
1100 1150  
f, FREQUENCY (MHz)  
Figure 9. Broadband Frequency Response  
A2I09VD015NR1 A2I09VD015GNR1  
RF Device Data  
NXP Semiconductors  
8
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