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A2I09VD015GNR1 参数 Datasheet PDF下载

A2I09VD015GNR1图片预览
型号: A2I09VD015GNR1
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内容描述: [RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers]
分类和应用:
文件页数/大小: 19 页 / 547 K
品牌: NXP [ NXP ]
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P3dB – TYPICAL LOAD PULL CONTOURS — 940 MHz  
55  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
55  
39 39.5  
38.5  
40  
38  
50  
68  
66  
64  
E
E
40.5  
41  
62  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
37  
60  
58  
56  
54  
P
P
38  
39  
40.5  
40  
39.5  
40  
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60  
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60  
REAL ()  
REAL ()  
Figure 14. P3dB Load Pull Output Power Contours (dBm)  
Figure 15. P3dB Load Pull Efficiency Contours (%)  
55  
50  
55  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
0
E
E
28.5  
45  
29  
32  
29.5  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
–2  
–14  
30  
31.5  
–12  
–10  
–8  
31  
30.5  
–4  
P
P
–6  
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60  
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60  
REAL ()  
REAL ()  
Figure 16. P3dB Load Pull Gain Contours (dB)  
Figure 17. P3dB Load Pull AM/PM Contours ()  
NOTE:  
P
E
= Maximum Output Power  
= Maximum Drain Efficiency  
Gain  
Drain Efficiency  
Linearity  
Output Power  
A2I09VD015NR1 A2I09VD015GNR1  
RF Device Data  
NXP Semiconductors  
11  
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