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    NAND01GW3B2CZA6T 参数 Datasheet PDF下载

    NAND01GW3B2CZA6T图片预览
    型号： NAND01GW3B2CZA6T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Flash, 128MX8, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路
    文件页数/大小： 60 页 / 1343 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号NAND01GW3B2CZA6T的Datasheet PDF文件第35页浏览型号NAND01GW3B2CZA6T的Datasheet PDF文件第36页浏览型号NAND01GW3B2CZA6T的Datasheet PDF文件第37页浏览型号NAND01GW3B2CZA6T的Datasheet PDF文件第38页浏览型号NAND01GW3B2CZA6T的Datasheet PDF文件第40页浏览型号NAND01GW3B2CZA6T的Datasheet PDF文件第41页浏览型号NAND01GW3B2CZA6T的Datasheet PDF文件第42页浏览型号NAND01GW3B2CZA6T的Datasheet PDF文件第43页  
    NAND01G-B2B, NAND02G-B2C  
    Program and erase times and endurance cycles  
    9
    Program and erase times and endurance cycles  
    The program and erase times and the number of program/erase cycles per block are shown  
    in Table 18.  
    Table 18. Program, erase times and program erase endurance cycles  
    NAND flash  
    Parameters  
    Unit  
    Min  
    Typ  
    Max  
    Page program time  
    200  
    2
    700  
    3
    µs  
    ms  
    Block erase time  
    Program/erase cycles per block (with ECC)  
    Data retention  
    100 000  
    10  
    cycles  
    years  
    39/60  

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