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M29W800DT45ZE6E 参数 Datasheet PDF下载

M29W800DT45ZE6E图片预览
型号: M29W800DT45ZE6E
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内容描述: 8兆位( 1兆位×8或512千位×16 ,引导块) 3 V电源快闪记忆体 [8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory]
分类和应用:
文件页数/大小: 52 页 / 1105 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M29W800DT, M29W800DB  
DC and AC parameters  
Figure 14. Reset/block temporary unprotect AC waveforms  
W, E, G  
tPHWL, tPHEL, tPHGL  
RB  
tRHWL, tRHEL, tRHGL  
tPLPX  
RP  
tPHPHH  
tPLYH  
AI06870  
Table 15. Reset/block temporary unprotect AC characteristics  
M29W800D  
45 ns 70 ns 90 ns  
Symbol  
Alt  
Parameter  
Unit  
ns  
(1)  
tPHWL  
RP High to Write Enable Low, Chip Enable  
Low, Output Enable Low  
tPHEL  
tRH  
Min  
Min  
50  
0
50  
0
50  
0
(1)  
tPHGL  
(1)  
tRHWL  
RB High to Write Enable Low, Chip Enable  
Low, Output Enable Low  
(1)  
tRHEL  
tRB  
ns  
(1)  
tRHGL  
tPLPX  
tRP  
RP pulse width  
Min  
Max  
Min  
500  
10  
500  
10  
500  
10  
ns  
µs  
ns  
(1)  
tPLYH  
tREADY RP Low to read mode  
tVIDR RP rise time to VID  
(1)  
tPHPHH  
500  
500  
500  
1. Sampled only, not 100% tested.  
33/52