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M29W800DT45ZE6E 参数 Datasheet PDF下载

M29W800DT45ZE6E图片预览
型号: M29W800DT45ZE6E
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内容描述: 8兆位( 1兆位×8或512千位×16 ,引导块) 3 V电源快闪记忆体 [8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory]
分类和应用:
文件页数/大小: 52 页 / 1105 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M29W800DT, M29W800DB  
DC and AC parameters  
Figure 12. Write AC waveforms, write enable controlled  
tAVAV  
A0-A18/  
VALID  
A–1  
tWLAX  
tAVWL  
tWHEH  
E
tELWL  
tWHGL  
G
tGHWL  
tWLWH  
W
tWHWL  
tWHDX  
tDVWH  
VALID  
DQ0-DQ7/  
DQ8-DQ15  
V
CC  
tVCHEL  
RB  
tWHRL  
AI05449  
Table 13. Write AC characteristics, write enable controlled  
M29W800D  
70 ns  
Symbol  
Alt  
Parameter  
Unit  
45 ns  
90 ns  
tAVAV  
tELWL  
tWLWH  
tDVWH  
tWHDX  
tWHEH  
tWHWL  
tAVWL  
tWLAX  
tGHWL  
tWHGL  
tWC  
tCS  
tWP  
tDS  
Address Valid to Next Address Valid  
Chip Enable Low to Write Enable Low  
Write Enable Low to Write Enable High  
Input Valid to Write Enable High  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Max  
Min  
45  
0
70  
0
90  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
µs  
30  
25  
0
45  
45  
0
50  
50  
0
tDH  
tCH  
tWPH  
tAS  
Write Enable High to Input Transition  
Write Enable High to Chip Enable High  
Write Enable High to Write Enable Low  
Address Valid to Write Enable Low  
Write Enable Low to Address Transition  
Output Enable High to Write Enable Low  
Write Enable High to Output Enable Low  
Program/Erase Valid to RB Low  
0
0
0
30  
0
30  
0
30  
0
tAH  
40  
0
45  
0
50  
0
tOEH  
tBUSY  
tVCS  
0
0
0
(1)  
tWHRL  
30  
50  
30  
50  
35  
50  
tVCHEL  
VCC High to Chip Enable Low  
1. Sampled only, not 100% tested.  
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