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M29W800DT45ZE6E 参数 Datasheet PDF下载

M29W800DT45ZE6E图片预览
型号: M29W800DT45ZE6E
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内容描述: 8兆位( 1兆位×8或512千位×16 ,引导块) 3 V电源快闪记忆体 [8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory]
分类和应用:
文件页数/大小: 52 页 / 1105 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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DC and AC parameters  
M29W800DT, M29W800DB  
Figure 13. Write AC waveforms, chip enable controlled  
tAVAV  
A0-A18/  
VALID  
A–1  
tELAX  
tAVEL  
tEHWH  
W
tWLEL  
tEHGL  
G
tGHEL  
tELEH  
E
tEHEL  
tEHDX  
tDVEH  
VALID  
DQ0-DQ7/  
DQ8-DQ15  
V
CC  
tVCHWL  
RB  
tEHRL  
AI05450  
Table 14. Write AC characteristics, chip enable controlled  
M29W800D  
45 ns 70 ns 90 ns  
Symbol  
Alt  
Parameter  
Unit  
tAVAV  
tWLEL  
tELEH  
tDVEH  
tEHDX  
tEHWH  
tEHEL  
tAVEL  
tELAX  
tGHEL  
tEHGL  
tWC  
tWS  
tCP  
Address Valid to Next Address Valid  
Write Enable Low to Chip Enable Low  
Chip Enable Low to Chip Enable High  
Input Valid to Chip Enable High  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Max  
Min  
45  
0
70  
0
90  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
µs  
30  
25  
0
45  
45  
0
50  
50  
0
tDS  
tDH  
tWH  
tCPH  
tAS  
Chip Enable High to Input Transition  
Chip Enable High to Write Enable High  
Chip Enable High to Chip Enable Low  
Address Valid to Chip Enable Low  
Chip Enable Low to Address Transition  
Output Enable High Chip Enable Low  
Chip Enable High to Output Enable Low  
Program/Erase Valid to RB Low  
0
0
0
30  
0
30  
0
30  
0
tAH  
40  
0
45  
0
50  
0
tOEH  
tBUSY  
tVCS  
0
0
0
(1)  
tEHRL  
30  
50  
30  
50  
35  
50  
tVCHWL  
VCC High to Write Enable Low  
1. Sampled only, not 100% tested.  
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