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PSMN102-200Y 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PSMN102-200Y
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内容描述: [N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETProduction]
分类和应用: 开关脉冲晶体管
文件页数/大小: 13 页 / 923 K
品牌: NEXPERIA [ Nexperia ]
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PSMN102-200Y  
Nexperia  
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET  
003aab747  
003aab745  
4
10  
50  
I
S
(A)  
C
(pF)  
40  
C
iss  
3
10  
30  
20  
10  
0
T = 150 °C  
25 °C  
j
C
C
oss  
2
10  
rss  
10  
10  
1  
2
1
10  
10  
0
0.3  
0.6  
0.9  
1.2  
V
(V)  
V
(V)  
SD  
DS  
Fig 13. Input, output and reverse transfer capacitances  
as a function of drain-source voltage; typical  
values  
Fig 14. Source current as a function of source-drain  
voltage; typical values  
PSMN102-200Y  
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Product data sheet  
Rev. 03 — 16 March 2011  
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