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MT4C4M4B1TG-6 参数 Datasheet PDF下载

MT4C4M4B1TG-6图片预览
型号: MT4C4M4B1TG-6
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内容描述: DRAM [DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 20 页 / 360 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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4 MEG x 4  
FPM DRAM  
RAS#-ONLY REFRESH CYCLE  
(OE# and WE# = DON’T CARE)  
t
RC  
t
t
RP  
RAS  
V
V
IH  
IL  
RAS#  
CAS#  
t
t
CRP  
RPC  
V
V
IH  
IL  
t
t
RAH  
ASR  
V
V
IH  
IL  
ADDR  
DQ  
ROW  
ROW  
V
OH  
OL  
OPEN  
V
CBR REFRESH CYCLE  
(Addresses and OE# = DON’T CARE)  
t
t
t
t
RAS  
RP  
RAS  
NOTE 1  
RP  
V
V
IH  
IL  
RAS#  
t
t
RPC  
CP  
t
t
t
RPC  
t
t
CHR  
CSR  
CHR  
CSR  
V
V
IH  
IL  
CAS#  
DQ  
V
OH  
OL  
OPEN  
V
t
t
t
t
WRH  
WRP  
WRH  
WRP  
V
V
IH  
IL  
WE#  
DON’T CARE  
UNDEFINED  
TIMING PARAMETERS  
-5  
-6  
-5  
-6  
SYMBOL  
MIN  
MAX  
MIN  
0
MAX  
UNITS  
SYMBOL  
MIN  
50  
84  
30  
5
MAX  
MIN  
60  
MAX  
UNITS  
ns  
t
t
ASR  
0
8
8
5
5
9
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
RAS  
10,000  
10,000  
t
t
CHR  
10  
10  
5
RC  
104  
40  
ns  
t
t
CP  
RP  
ns  
t
t
CRP  
RPC  
5
ns  
t
t
CSR  
5
WRH  
8
10  
ns  
t
t
RAH  
10  
WRP  
8
10  
ns  
NOTE: 1. End of CBR REFRESH cycle.  
4 Meg x 4 FPM DRAM  
D49_5V.p65 – Rev. 5/00  
Micron Technology, Inc., reservesthe right to change productsor specificationswithout notice.  
©2000, Micron Technology, Inc.  
16  
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