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JS28F512P30TF 参数 Datasheet PDF下载

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型号: JS28F512P30TF
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内容描述: 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器( P30-65nm ) [Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 92 页 / 1225 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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512Mb, 1Gb, 2Gb: P30-65nm  
AC Test Conditions and Capacitance  
Table 38: Capacitance  
Sym-  
Parameter  
bol  
Signal  
Density  
512Mb  
1Gb  
Min  
Typ  
7
Max Unit  
Condition  
Notes  
Input  
Capacitance  
CIN  
Address, Data,  
CE#, WE#, OE#,  
RST#, CLK,  
3
4
6
8
9
pF  
TYP temp = 25°C; MAX  
temp = 85°C  
VCC = 0–2.0V, VCCQ = 0–  
3.6V  
1
8
2Gb  
16  
18  
ADV#, WP#  
Discrete silicon die  
Output  
Capacitance  
COUT  
Data, WAIT  
512Mb  
1Gb  
3
3
6
5
5
7
6
2Gb  
10  
12  
1. Sampled, but not 100% tested.  
Note:  
PDF: 09005aef845667b3  
p30_65nm_MLC_512Mb-1gb_2gb.pdf - Rev. B 12/13 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
77  
© 2013 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
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