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    TC1185-3.0VCT713 参数 Datasheet PDF下载

    TC1185-3.0VCT713图片预览
    型号： TC1185-3.0VCT713
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 50毫安100 mA和150毫安CMOS LDO，具有关断和参考旁路 [50 mA, 100 mA and 150 mA CMOS LDOs with Shutdown and Reference Bypass]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 22 页 / 690 K
    品牌： MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
     浏览型号TC1185-3.0VCT713的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TC1185-3.0VCT713的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TC1185-3.0VCT713的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TC1185-3.0VCT713的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TC1185-3.0VCT713的Datasheet PDF文件第8页浏览型号TC1185-3.0VCT713的Datasheet PDF文件第9页浏览型号TC1185-3.0VCT713的Datasheet PDF文件第10页浏览型号TC1185-3.0VCT713的Datasheet PDF文件第11页  
    TC1014/TC1015/TC1185
    典型性能曲线（续）
    注意：
    除非另有说明，所有的份数是在温度= + 25 ℃下测定。
    测量上升3.3V LDO的时间与旁路电容
    条件：C
    IN
    = 1μF ，C
    OUT
    = 1μF ，C
    BYP
    = 470pF的，我
    负载
    = 100毫安
    V
    IN
    = 4.3V ，温度= 25 ° C，上升时间= 448μS
    测量上升3.3V LDO的时间无旁路电容
    条件：C
    IN
    = 1μF ，C
    OUT
    = 1μF ，C
    BYP
    = 0pF ，我
    负载
    = 100毫安
    V
    IN
    = 4.3V ，温度= 25 ° C，上升时间= 184μS
    V
    SHDN
    V
    SHDN
    V
    OUT
    V
    OUT
    图2-17 ：
    测量上升3.3V的时间
    与旁路电容。
    秋季测量3.3V LDO的时间与旁路电容
    条件：C
    IN
    = 1μF ，C
    OUT
    = 1μF ，C
    BYP
    = 470pF的，我
    负载
    = 50毫安
    V
    IN
    = 4.3V ，温度= 25 ℃，下降时间= 100μS
    图2-19：
    测量上升3.3V的时间
    无需旁路电容。
    秋季测量3.3V LDO的时间无旁路电容
    条件：C
    IN
    = 1μF ，C
    OUT
    = 1μF ，C
    BYP
    = 0pF ，我
    负载
    = 100毫安
    V
    IN
    = 4.3V ，温度= 25 ℃，下降时间= 52μS
    V
    SHDN
    V
    SHDN
    V
    OUT
    V
    OUT
    图2-18 ：
    测量3.3V下降时间
    与旁路电容。
    图2-20 ：
    测量3.3V下降时间
    无需旁路电容。
    ©
    2007 Microchip的技术公司
    DS21335E第7页

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