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TC1185-3.0VCT713 参数 Datasheet PDF下载

TC1185-3.0VCT713图片预览
型号: TC1185-3.0VCT713
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内容描述: 50毫安100 mA和150毫安CMOS LDO,具有关断和参考旁路 [50 mA, 100 mA and 150 mA CMOS LDOs with Shutdown and Reference Bypass]
分类和应用:
文件页数/大小: 22 页 / 690 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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TC1014/TC1015/TC1185
典型性能曲线(续)
注意:
除非另有说明,所有的份数是在温度= + 25 ℃下测定。
输出电压与温度的关系
5.025
5.020
5.015
输出电压与温度的关系
4.994
4.992
4.990
4.988
V
OUT
(V)
V
OUT
= 5V
I
负载
= 150毫安
V
OUT
= 5V
I
负载
= 10毫安
V
OUT
(V)
5.010
5.005
5.000
4.995
4.990
4.985
4.986
4.984
4.982
4.980
4.978
4.976
4.974
C
IN
= 1µF
C
OUT
= 1µF
V
IN
= 6V
C
IN
= 1µF
C
OUT
= 1µF
V
IN
= 6V
-40
-20
-10
0
20
40
85
125
-40
-20
温度(℃)
-10
0
20
40
温度(℃)
85
125
图2-12:
温度。
输出电压(V
OUT
)与
图2-14 :
温度。
输出电压(V
OUT
)与
温度与静态电流
70
60
V
OUT
= 5V
I
负载
= 10毫安
温度与静态电流
80
70
GND电流( μA )
V
OUT
= 5V
I
负载
= 150毫安
GND电流( μA )
50
40
30
20
10
0
C
IN
= 1µF
C
OUT
= 1µF
V
IN
= 6V
-40
-20
-10
0
20
40
温度(℃)
85
125
60
50
40
30
20
10
0
C
IN
= 1μF
C
OUT
= 1μF
V
IN
= 6V
-40
-20
-10
0
20
40
温度(℃)
85
125
图2-13:
I
GND
与温度的关系。
图2-15 :
I
GND
与温度的关系。
电源抑制比
-30
-35
-40
-45
I
OUT
= 10毫安
V
INDC
= 4V
V
INAC
= 100mVp -P
V
OUT
= 3V
C
IN
= 0
C
OUT
= 1μF
输出噪声和频率
10.0
R
负载
= 50Ω
C
OUT
= 1μF
C
IN
= 1μF
C
BYP
= 0
C
OUT
ESR( Ω )
安定区 - 负载电流
1000
C
OUT
= 1μF
为10μF
100
10
1
稳定区
PSRR (分贝)
噪声( μV / √Hz的)
1.0
-50
-55
-60
-65
0.1
0.1
0.0
0.01K 0.1K
0.01
1K
10K 100K 1000K
频率(Hz)
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
负载电流(mA )
-70
-75
-80
0.01K 0.1K
1K
10K 100K 1000K
频率(Hz)
图2-16 :
交流特性。
DS21335E第6页
©
2007 Microchip的技术公司