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TC1185-3.0VCT713 参数 Datasheet PDF下载

TC1185-3.0VCT713图片预览
型号: TC1185-3.0VCT713
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内容描述: 50毫安100 mA和150毫安CMOS LDO,具有关断和参考旁路 [50 mA, 100 mA and 150 mA CMOS LDOs with Shutdown and Reference Bypass]
分类和应用:
文件页数/大小: 22 页 / 690 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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TC1014/TC1015/TC1185
3.0
引脚说明
的引脚说明中列出
表3-1:
PIN号
( 5引脚SOT- 23 )
1
2
3
引脚功能表
符号
V
IN
GND
SHDN
未稳压电源输入。
接地端子。
关断控制输入。该稳压器完全开启时,逻辑高电平加到
该输入。该稳压器进入关断时为逻辑低电平应用于此输入。
在关断期间,输出电压下降到零,电源电流降低到
0.5 μA (最大值) 。
参考旁路输入。连接一个470 pF到这个输入,进一步降低输出
噪声。
稳定电压输出。
描述
4
5
绕行
V
OUT
3.1
输入电压(V
IN
)
3.3
关断(SHDN )
连接V
IN
引脚连接到不受监管的源头
电压。像所有的低压差线性稳压器,低
源阻抗是必要的稳定
LDO的操作。电容的大小
为确保低源阻抗要求将
取决于输入源的接近度
电容或电池类型。对于大多数应用,
1.0 μF的电容可以确保稳定运行
LDO电路。用于电容器的类型可以
是陶瓷电容,钽电容和铝电解电容。
低等效串联电阻( ESR )煤焦
陶瓷的Cucumis Sativus查阅全文将产生更好的噪声
和电源纹波抑制比( PSRR )
表现在高频率。
关断输入用于控制LDO上
和关闭。当SHDN引脚为逻辑高电平
水平, LDO输出使能。当
SHDN引脚被拉至逻辑低电平时,LDO输出
被禁用。禁用时,静态电流
使用LDO的是小于0.5 μA最大值。
3.4
绕行
3.2
接地端子( GND )
连接一个低价值的陶瓷电容器的
旁路引脚将进一步降低输出电压
噪声和改善的PSRR性能
LDO 。而较小的和较大的值可以是
使用时,这些影响的速度在LDO
输出电压上升,当输入功率为
应用。较大的旁路电容,所述
速度较慢,输出电压会上升。
接地引脚连接到输入电压
返回。对于最佳的噪声和PSRR
性能, LDO的GND引脚应
绑在一个安静的电路接地。对于应用程序
有开关噪声或输入噪声领带GND引脚到
返回的输出电容。地平面
有助于引起的电感和电压尖峰
通过快速瞬变负载电流,并
推荐用作要受到应用
快速负载瞬态。
3.5
输出电压(V
OUT
)
将输出负载连接到V
OUT
的LDO 。还
连接LDO输出电容的一侧
尽可能地接近在V
OUT
引脚。
©
2007 Microchip的技术公司
DS21335E第11页