TC1014/TC1015/TC1185
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，所有的份数是在温度= + 25 ℃下测定。
漏失电压与温度的关系
0.020
0.018
漏失电压与温度的关系
0.100
漏失电压（ V）
0.090
0.080
0.070
0.060
0.050
0.040
0.030
0.020
0.010
0.000
C
IN
= 1µF
C
OUT
= 1µF
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 50毫安
漏失电压（ V）
0.016
0.014
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0.000
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 10毫安
C
IN
= 1µF
C
OUT
= 1µF
-40
-20
0
20
50
温度（℃）
70
125
-40
-20
0
20
50
温度（℃）
70
125
图2-1：
温度。
0.200
0.180
漏失电压（ V）
0.160
0.140
0.120
0.100
0.080
0.060
0.040
0.020
0.000
C
IN
= 1µF
C
OUT
= 1µF
压差 -
图2-4：
温度。
压差 -
漏失电压与温度的关系
0.300
漏失电压（ V）
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 100毫安
漏失电压与温度的关系
0.250
0.200
0.150
0.100
0.050
0.000
C
IN
= 1µF
C
OUT
= 1µF
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 150毫安
-40
-20
0
20
50
温度（℃）
70
125
-40
-20
0
20
50
温度（℃）
70
125
图2-2：
温度。
压差 -
图2-5：
温度。
压差 -
地电流与V
IN
90
80
GND电流（ μA ）
70
60
50
40
30
20
10
0
C
IN
= 1µF
C
OUT
= 1µF
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 10毫安
GND电流（ μA ）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
地电流与V
IN
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 100毫安
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5
V
IN
(V)
C
IN
= 1µF
C
OUT
= 1µF
1 1.5
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5
3.5 4
5 5.5
7.5
V
IN
(V)
图2-3：
电压（V
IN
).
地电流与输入
图2-6：
电压（V
IN
).
地电流与输入
DS21335E第4页
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2007 Microchip的技术公司
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