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TC1185-3.0VCT713 参数 Datasheet PDF下载

TC1185-3.0VCT713图片预览
型号: TC1185-3.0VCT713
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内容描述: 50毫安100 mA和150毫安CMOS LDO,具有关断和参考旁路 [50 mA, 100 mA and 150 mA CMOS LDOs with Shutdown and Reference Bypass]
分类和应用:
文件页数/大小: 22 页 / 690 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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TC1014/TC1015/TC1185
TC1014 / TC1015 / TC1185电气规范(续)
电气连接特定的阳离子:
V
IN
= V
R
+ 1V ,我
L
= 100 μA ,C
L
= 1.0 μF , SHDN > V
IH
, T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。
粗体数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
输出噪声
符号
eN
典型值
600
最大
单位
纳伏/赫兹÷
设备
测试条件
I
L
= I
OUT
最大
,
F = 10千赫
470 pF的旁路从
到GND
V
IN
= 2.5V至6.5V
V
IN
= 2.5V至6.5V
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
1:
2:
3:
4:
5:
6:
7:
8:
V
IH
V
IL
45
15
%V
IN
%V
IN
最小V
IN
必须满足两个条件: V
IN
2.7V和V
IN
V
R
+ V
.
V
R
是稳压器输出电压设定。例如: V
R
= 1.8V, 2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V, 3.3V, 3.6V, 4.0V, 5.0V.
TC V
OUT
= (V
OUT
最大
– V
OUT
)x 10
6
V
OUT
x
ΔT
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度是在负载范围内测试
1.0 mA至规定的最大输出电流。热效应引起的输出电压的变化都包括在热
监管规范。
电压差定义为输入输出电压差,当输出电压降至2 %,低于其标称值在1V
差。
热稳定度定义为在功耗变化后输出电压的变化在时间T ,不包括负载
或线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
L
最大
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
允许的最大功耗是环境温度的函数,最大允许结温度和
热阻结到空气中(即,T
A
, T
J
,
θ
JA
) 。超过最大允许功耗会导致器件
启动热关断。请参阅
第5.0节“散热考虑”
了解更多详情。
适用于-40 ° C至+ 85 ° C的结温。
温度特性
电气连接特定的阳离子:
V
IN
= V
R
+ 1V ,我
L
= 100 μA ,C
L
= 1.0 μF , SHDN > V
IH
, T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。
粗体数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
温度范围:
扩展级温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻:
热阻, 5引脚SOT- 23
θ
JA
256
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
+125
+125
+150
°C
°C
°C
符号
典型值
最大
单位
条件
©
2007 Microchip的技术公司
DS21335E第3页