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MX29LV160BBXBC-90 参数 Datasheet PDF下载

MX29LV160BBXBC-90图片预览
型号: MX29LV160BBXBC-90
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内容描述: 16M - BIT [ 2Mx8 / 1Mx16 ] CMOS单电压3V仅限于Flash存储器 [16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 63 页 / 762 K
品牌: Macronix [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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R
MX29LV160BT/BB  
AC CHARACTERISTICS  
TA = -40oC to 85oC, VCC = 2.7V~3.6V  
Table 10. READ OPERATIONS  
29LV160BT/BB-70  
29LV160BT/BB-90  
Symbol PARAMETER  
MIN.  
MAX.  
MIN.  
MAX.  
UNIT CONDITIONS  
tRC  
tACC  
tCE  
Read Cycle Time (Note 1)  
Address to Output Delay  
CE to Output Delay  
70  
90  
ns  
70  
70  
30  
25  
90  
90  
30  
25  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
CE=OE=VIL  
OE=VIL  
tOE  
OE to Output Delay  
CE=VIL  
tDF  
OE High to Output Float (Note2)  
Output Enable Read  
0
0
0
CE=VIL  
tOEH  
0
Hold Time  
Toggle and Data Polling 10  
10  
0
tOH  
Address to Output hold  
0
CE=OE=VIL  
NOTE:  
TEST CONDITIONS:  
Input pulse levels: 0V/3.0V.  
1. Not 100% tested.  
Input rise and fall times is equal to or less than 5ns.  
Outputload:1TTL gate+100pF(Includingscopeand  
jig)for29LV160BT/BB-90,1TTL gate+30pF(Includ-  
ing scope and jig) for 29LV160BT/BB-70.  
2. tDF is defined as the time at which the output achieves  
the open circuit condition and data is no longer driven.  
Reference levels for measuring timing: 1.5V.  
P/N:PM1041  
REV. 1.2, JUL. 01, 2004  
23  
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