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MX29LV160BBXBC-90 参数 Datasheet PDF下载

MX29LV160BBXBC-90图片预览
型号: MX29LV160BBXBC-90
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内容描述: 16M - BIT [ 2Mx8 / 1Mx16 ] CMOS单电压3V仅限于Flash存储器 [16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 63 页 / 762 K
品牌: Macronix [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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R
MX29LV160BT/BB  
AC CHARACTERISTICS  
TA = -40oC to 85oC, VCC = 2.7V~3.6V  
Table 12. Alternate CE Controlled Erase/Program Operations  
29LV160BT/BB-70  
29LV160BT/BB-90  
SYMBOL  
tWC  
PARAMETER  
MIN.  
MAX.  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
ns  
Write Cycle Time (Note 1)  
Address SetupTime  
Address HoldTime  
Data SetupTime  
70  
90  
tAS  
0
0
ns  
tAH  
45  
45  
ns  
tDS  
35  
45  
ns  
tDH  
Data HoldTime  
0
0
ns  
tOES  
tGHEL  
tWS  
Output Enable SetupTime  
Read RecoveryTime Before Write  
WE Setup Time  
0
0
ns  
0
0
ns  
0
0
ns  
tWH  
WE Hold Time  
0
0
ns  
tCP  
CE Pulse Width  
35  
35  
ns  
tCPH  
tWHWH1  
CE Pulse Width High  
30  
30  
ns  
Programming  
Byte  
9(Typ.)  
11(Typ.)  
0.7(Typ.)  
9(Typ.)  
11(Typ.)  
0.7(Typ.)  
us  
Operation(note2)  
Word  
us  
tWHWH2  
Sector Erase Operation (note2)  
sec  
NOTE:  
1. Not 100% tested.  
2. See the "Erase and Programming Performance" section for more information.  
P/N:PM1041  
REV. 1.2, JUL. 01, 2004  
27  
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