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GM72V66841CT 参数 Datasheet PDF下载

GM72V66841CT图片预览
型号: GM72V66841CT
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内容描述: 2,097,152字×8位×4银行同步动态RAM [2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 57 页 / 591 K
品牌: LG [ LG SEMICON CO.,LTD. ]
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LG Semicon  
AC Characteristics (Ta = 0 to 70C, VCC, VCCQ = 3.3 V +/- 0.3 V, VSS, VSSQ = 0 V)  
GM72V66841CT/CLT  
- 7K  
- 7J  
- 8  
- 10K  
Parameter  
Symbol  
Unit Notes  
Min Max Min Max Min Max Min Max  
(CL=2)  
(CL=3)  
10  
10  
3
-
-
15  
10  
3
-
-
12  
8
3
3
-
-
-
15  
10  
3
-
-
t
CK  
CK  
System clock  
cycle time  
ns  
1
t
CLK high pulse width  
CLK low pulse width  
-
-
-
-
ns  
ns  
1
1
tCKH  
3
-
3
-
-
3
-
tCKL  
(CL=2)  
-
6
6
-
-
8
6
-
8
6
-
-
9
8
-
tAC  
Access time  
from CLK  
ns  
ns  
1, 2  
1, 2  
(CL=3)  
-
-
-
-
tAC  
Data-out hold time  
3
3
3
3
tOH  
CLK to Data-out low  
impedance  
CLK to Data-out  
high impedance  
( CL = 2,3 )  
2
-
-
2
-
-
2
-
-
2
-
-
ns 1, 2, 3  
t
LZ  
6
6
6
7
ns  
1, 4  
tHZ  
Data-in setup time  
Data-in hold time  
Address setup time  
Address hold time  
CKE setup time  
2
1
2
1
2
-
-
-
-
-
2
1
2
1
2
-
-
-
-
-
2
1
2
1
2
-
-
-
-
-
2
1
2
1
2
-
-
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
1
1
t
DS  
DH  
AS  
AH  
CES  
t
1
t
1
t
1, 5  
t
CKE setup time for  
power down exit  
2
1
-
-
2
1
-
-
2
1
-
-
2
1
-
-
ns  
ns  
1
1
t
CESP  
CKE hold time  
t
CEH  
Command (CS, RAS,  
CAS, WE, DQM)  
setup time  
2
-
2
-
2
-
2
-
ns  
1
1
t
CS  
Command (CS, RAS,  
CAS, WE, DQM)  
hold time  
1
-
-
1
-
-
1
-
-
1
-
-
ns  
ns  
tCH  
Ref/Active to Ref/Active  
command period  
Active to Precharge  
command period  
Active command to  
column command  
(same bank)  
70  
70  
72  
90  
1
1
tRC  
50 120000 50 120000 48 120000 60 120000 ns  
tRAS  
20  
20  
-
-
20  
20  
-
-
24  
24  
-
-
30  
30  
-
-
ns  
ns  
1
1
tRCD  
Precharge to active  
command period  
tRP  
40  
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