固体钽芯片电容器
钽的MnO
2
组件的性能特点
（续）
安装电容器承受极端的温度
在连续的步骤，在连续测试
+ 25 ° C， -55°C ， + 25 ° C， + 85°C ， + 125°C ， + 25 ° C，在
为了说明。电容器应提请热
稳定性在各试验温度下进行。电容， DF
和DCL在每个测试温度下测定
所不同的是DCL未在-55 ℃下测定。直流偏置
2.0 ± 0.5是推荐使用的容量
和D F的要求。
14.热冲击
•
MIL- STD- 202方法107 ，条件B
最低气温-55 ℃，安装
测试后的性能：
一。电容 - 内初始值的± 5％的
B 。 DC泄漏 - 初始期限内
Ç 。损耗因数 - 初始期限内
ð 。 ESR - 初始期限内
15.耐湿性
•
MIL- STD- 202方法106
步骤7a和7b中排除，额定电压，
42个周期，安装
测试后的性能：
一。电容 - 内初始值的± 10％的
B 。 DC泄漏 - 初始期限内
Ç 。损耗因数 - 初始期限内
ð 。 ESR - 初始期限内
•
JEDEC J- STD- 20C - 符合MSL1无铅
装配
16.静电放电（ ESD ）
•
人体模型
2000 ± 50伏， 1500 ±5％欧姆， 40纳米
第二个脉冲的每个极性，每1个脉冲
极性，脉冲间隔5秒， 25 ℃。
•
带电器件模型
200 ±5伏， 0欧姆， 40纳秒
脉冲，每个极性， 9个脉冲的极性，
脉冲， 25 C.间隔5秒
产物经受上述试验条件
演示
不敏感
以静电
放电。
17.长期稳定性
内的一般类的电解电容，
固体钽电容器具有不同寻常的稳定性
这三个重要的参数：容量，显示
sipation因数和泄漏电流。这些固
状态的设备不受到的影响
电解，变形或干燥出相关
与液体电解质电容器。
当在标准的稳定测量
的条件下，电容通常会发生变化少
比在10000小时的寿命试验+ 85 ℃±3 ％。
10
同样对比的变化是
在+ 25°C扩展在货架试验观察
50000小时。 （一些这种变化可能源于
从仪器或器具的错误。 ）
耗散因数没有表现出典型的趋势。数据
从+ 85°C显示， ini-万小时寿命试验
TiAl金属的限制（在标准条件下）不超过
在这些测试中得出的结论。
漏电流比电容更变
tance或DF ;实际上，泄漏电流通常
表现在几个对数相关性
方面。军用规范允许的泄漏
电流（在标准条件下测得），以上升
通过四个超过10,000小时寿命测试的一个因素。
典型行为是变更率较低，
其可以是负的或正的。最初的泄漏
电流经常如此之低（小于0.1
纳安中最小的CV电容器），该
的几个数量级的变化没有
在通常的电路设计可辨的效果。
18.故障模式
电容器故障可能超过诱发
电容器与正向额定电压的50％
直流电压，反向直流电压，功耗
或温度。对于任何实际装置，这些
电容器也具有一种内在的，虽然很低，
故障率时在所述小于50％操作
所述电容器的额定电压。
主要失效模式是由短路。
次要参数漂移是没有结果
电路适用于固体钽电容器。
灾难性故障发生在DC雪崩
在短（毫秒）时的漏电流
跨度。失败的电容，而所谓的“短税务局局长
cuited “ ，可以表现出10至10的直流电阻
4
欧姆。
如果失败的电容是不受保护的低
阻抗电路中，电流的续流
通过电容器可明显产生
严重过热。过度加热电容器
可能会损坏电路板或附近康波
堂费。防止出现这种情况，是
通过限流装置或熔断器亲得
由电路设计vided 。 KEMET的T496系列
提供了一个内置保险丝转换的普通短
电路的故障模式，以形成开路。
幸运的是， KEMET的固有失效率
固体钽电容是低的，并且这种故障
速率可通过电路设计得到进一步改善。
提供了用于军事统计故障率
电容器。有关电路条件失败
率是通过在所述部分下面的导轨辅助。
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