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    66WVE4M16ALL-70TLI 参数 Datasheet PDF下载

    66WVE4M16ALL-70TLI图片预览
    型号： 66WVE4M16ALL-70TLI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Pseudo Static RAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PDSO48, TSOP1-48]
    分类和应用： 光电二极管内存集成电路
    文件页数/大小： 30 页 / 676 K
    品牌： ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
     浏览型号66WVE4M16ALL-70TLI的Datasheet PDF文件第19页浏览型号66WVE4M16ALL-70TLI的Datasheet PDF文件第20页浏览型号66WVE4M16ALL-70TLI的Datasheet PDF文件第21页浏览型号66WVE4M16ALL-70TLI的Datasheet PDF文件第22页浏览型号66WVE4M16ALL-70TLI的Datasheet PDF文件第24页浏览型号66WVE4M16ALL-70TLI的Datasheet PDF文件第25页浏览型号66WVE4M16ALL-70TLI的Datasheet PDF文件第26页浏览型号66WVE4M16ALL-70TLI的Datasheet PDF文件第27页  
    IS66WVE4M16ALL  
    Advanced Information  
    Timing Diagrams  
    Figure 10: Power-Up Initialization Timing  
    VDD, VDDQ=1.8V  
    VDD(MIN)  
    tPU > 150us  
    Device Initialization  
    Device ready for  
    normal operation  
    Figure 11: Load Configuration Register  
    tWC  
    Address  
    CE#  
    OPCODE  
    tAW  
    tCW  
    tWR  
    UB#/LB#  
    WE#  
    tAS  
    tWP  
    OE#  
    ZZ#  
    tCDZZ  
    tZZWE  
    Figure 12: DPD Entry and Exit Timing  
    tCDZZ  
    tZZ (MIN)  
    ZZ#  
    CE#  
    tR  
    Device ready for  
    normal operation  
    23  
    www.issi.com - SRAM@issi.com  
    Rev.00C | March 2010  

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