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IRF3710LPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF3710LPBF图片预览
型号: IRF3710LPBF
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内容描述: HEXFET㈢功率MOSFET ( VDSS = 100V , RDS ( ON) = 23米ヘ, ID = 57A ) [HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23mヘ , ID = 57A )]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 11 页 / 276 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF3710S/LPbF
60
V
DS
50
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
+
40
-
V
DD
I
D
,漏电流( A)
30
V
GS
脉冲宽度
≤ 1
µs
占空比
≤ 0.1 %
20
图10A 。
开关时间测试电路
10
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
,外壳温度
( °C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
图10B 。
开关时间波形
1
(Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
热响应
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
注意事项:
1.占空比系数D =
2.峰值牛逼
t
1
/ t
2
+T
C
1
J
= P
DM
X Z
thJC
P
DM
单脉冲
(热反应)
t
1
t
2
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
www.irf.com
5