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IRF3710LPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF3710LPBF图片预览
型号: IRF3710LPBF
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内容描述: HEXFET㈢功率MOSFET ( VDSS = 100V , RDS ( ON) = 23米ヘ, ID = 57A ) [HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23mヘ , ID = 57A )]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 11 页 / 276 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF3710S/LPbF
100000
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的,C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
12
I
D
=
28A
10000
COSS = C + Cgd的
ds
10
V
DS
= 80V
V
DS
= 50V
V
DS
= 20V
C,电容(pF )
西塞
1000
7
科斯
5
100
CRSS
2
10
1
10
100
0
0
20
40
60
80
100
VDS ,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.00
1000
在这一领域
限于由R DS ( ON)
100.00
TJ = 175℃
10.00
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ISD ,反向漏电流( A)
100
100µsec
10
1msec
1.00
T J = 25°C
VGS = 0V
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
10msec
0.10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD ,源toDrain电压( V)
0.1
100
1000
VDS ,漏toSource电压(V )
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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