PD - 95108
IRF3710SPbF
IRF3710LPbF
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l
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
LEAD -FREE
HEXFET
®
功率MOSFET
D
V
DSS
= 100V
R
DS （ ON）
= 23mΩ
G
S
I
D
= 57A
描述
先进的HEXFET
®
国际整流器功率MOSFET采用
先进的加工技术，以实现极低的导通电阻元
硅片面积。这样做的好处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，
为设计者提供了在一个非常有效和可靠的设备使用
各种各样的应用程序。
对D
2
白是一种表面贴装可容纳芯片的功率封装
尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高的功率容量和最低
可能的导通电阻，在任何现有的表面贴装型封装。对D
2
Pak是
适合，因为它的低内部连接的高电流的应用
性和可耗散高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRF3710L ）可用于低轮廓的应用程序。
D
2
PAK
IRF3710SPbF
TO-262
IRF3710LPbF
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
57
40
180
200
1.3
± 20
28
20
5.8
-55〜 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
（ PCB安装，稳态） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
0.75
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
9/16/04
IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
