IRF3710S/LPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
∆V
（ BR ） DSS
/∆T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
E
AS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
单脉冲雪崩能量
分钟。
100
–––
–––
2.0
32
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250µA
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安？
23
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
=28A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 28A
25
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
µA
250
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
130
I
D
= 28A
26
nC
V
DS
= 80V
43
V
GS
= 10V ，参照图6和13 ？
–––
V
DD
= 50V
–––
I
D
= 28A
ns
–––
R
G
= 2.5Ω
–––
V
GS
= 10V ，参照图10
铅之间，
4.5 –––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
7.5 –––
而中心的模具接触
3130 –––
V
GS
= 0V
410 –––
V
DS
= 25V
72 –––
pF
ƒ = 1.0MHz的，见图。 5 ？
1060 ?? 280 ??兆焦耳我
AS
= 28A ，L = 0.70mH
典型值。
–––
0.13
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
12
58
45
47
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
57
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– ––– 230
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.2
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 28A ，V
GS
= 0V
––– 140 220
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 28A
--- 670 1010 NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （见图11）。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.70mH ，R
G
= 25Ω,
I
AS
= 28A ，V
GS
= 10V 。 （参见图12）。
I
SD
≤
28A ， di / dt的
≤
380A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
这是在破坏设备的典型值，代表
操作之外的额定范围。
这是限定至T的计算值
J
= 175°C .
使用IRF3710数据和试验条件。
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。为
推荐的足迹和焊接技术是指应用程序
注意＃ AN- 994 。
2
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