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IRF3710LPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF3710LPBF图片预览
型号: IRF3710LPBF
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内容描述: HEXFET㈢功率MOSFET ( VDSS = 100V , RDS ( ON) = 23米ヘ, ID = 57A ) [HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23mヘ , ID = 57A )]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 11 页 / 276 K
品牌: IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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IRF3710S/LPbF
1000
VGS
顶部
16V
10V
7.0V
6.0V
5.0V
4.5V
4.0V
BOTTOM 3.5V
1000
100
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ID ,漏极 - 源极电流(A )
100
VGS
16V
10V
7.0V
6.0V
5.0V
4.5V
4.0V
BOTTOM 3.5V
顶部
10
10
3.5V
1
3.5V
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
0.1
1
10
20μs的脉冲宽度
TJ = 175℃
0.1
0.1
1
10
100
100
VDS ,漏极至源极电压( V)
VDS ,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000.00
3.0
I
D
= 57A
ID ,漏 - 源电流
)
2.5
T J = 175℃
10.00
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
100.00
2.0
(归一化)
1.5
T J = 25°C
1.00
1.0
0.10
3.0
4.0
5.0
VDS = 15V
20μs的脉冲宽度
6.0
7.0
8.0
9.0
0.5
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
GS
= 10V
100 120 140 160 180
VGS ,栅 - 源极电压( V)
T
J
,结温
(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3