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    IRLMS1902TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

    IRLMS1902TRPBF图片预览
    型号： IRLMS1902TRPBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-6]
    分类和应用： 开关脉冲光电二极管晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 194 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号IRLMS1902TRPBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRLMS1902TRPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRLMS1902TRPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRLMS1902TRPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRLMS1902TRPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRLMS1902TRPBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRLMS1902TRPBF的Datasheet PDF文件第8页  
    IRLMS1902PbF
    Q
    G
    V
    DS
    V
    GS
    R
    G
    4.5V
    R
    D
    4.5V
    V
    G
    Q
    GS
    Q
    GD
    D.U.T.
    +
    -
    V
    DD
    Charge
    Pulse Width
    ≤ 1
    µs
    Duty Factor
    ≤ 0.1 %
    Fig 9a.
    Basic Gate Charge Waveform
    Current Regulator
    Same Type as D.U.T.
    Fig 10a.
    Switching Time Test Circuit
    V
    DS
    50KΩ
    12V
    .2µF
    .3µF
    90%
    D.U.T.
    V
    GS
    3mA
    +
    V
    -
    DS
    10%
    V
    GS
    t
    d(on)
    I
    G
    I
    D
    t
    r
    t
    d(off)
    t
    f
    Current Sampling Resistors
    Fig 9b.
    Gate Charge Test Circuit
    100
    D = 0.50
    Fig 10b.
    Switching Time Waveforms
    Thermal Response (Z
    thJA
    )
    0.20
    10
    0.10
    0.05
    0.02
    1
    0.01
    SINGLE PULSE
    (THERMAL RESPONSE)
    Notes:
    1. Duty factor D = t
    1
    / t
    2
    2. Peak T
    J
    = P
    DM
    x Z
    thJA
    + T
    A
    0.0001
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    P
    DM
    t
    1
    t
    2
    0.1
    0.00001
    t
    1
    , Rectangular Pulse Duration (sec)
    Fig 11.
    Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
    www.irf.com
    5

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