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    IRLMS1902TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

    IRLMS1902TRPBF图片预览
    型号： IRLMS1902TRPBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-6]
    分类和应用： 开关脉冲光电二极管晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 194 K
    品牌： INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
     浏览型号IRLMS1902TRPBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRLMS1902TRPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRLMS1902TRPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRLMS1902TRPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRLMS1902TRPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRLMS1902TRPBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRLMS1902TRPBF的Datasheet PDF文件第8页  
    IRLMS1902PbF
    600
    500
    V
    GS
    , Gate-to-Source Voltage (V)
    V
    GS
    = 0V,
    f = 1MHz
    C
    iss
    = C
    gs
    + C
    gd ,
    C
    ds
    SHORTED
    C
    rss
    = C
    gd
    C
    oss
    = C
    ds
    + C
    gd
    10
    I
    D
    = 2.2A
    V
    DS
    = 16V
    8
    C, Capacitance (pF)
    400
    300
    Ciss
    6
    4
    200
    Coss
    Crss
    1
    10
    100
    100
    2
    0
    0
    FOR TEST CIRCUIT
    SEE FIGURE 9
    0
    2
    4
    6
    8
    V
    DS
    , Drain-to-Source Voltage (V)
    Q
    G
    , Total Gate Charge (nC)
    Fig 5.
    Typical Capacitance Vs.
    Drain-to-Source Voltage
    Fig 6.
    Typical Gate Charge Vs.
    Gate-to-Source Voltage
    100
    100
    I
    SD
    , Reverse Drain Current (A)
    OPERATION IN THIS AREA LIMITED
    BY R
    DS(on)
    10
    I
    D
    , Drain Current (A)
    10
    T
    J
    = 150
    °
    C
    100us
    1ms
    1
    1
    T
    J
    = 25
    °
    C
    10ms
    0.1
    0.4
    V
    GS
    = 0 V
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    1.4
    0.1
    T
    C
    = 25 ° C
    T
    J
    = 150 ° C
    Single Pulse
    1
    10
    100
    V
    SD
    ,Source-to-Drain Voltage (V)
    V
    DS
    , Drain-to-Source Voltage (V)
    Fig 7.
    Typical Source-Drain Diode
    Forward Voltage
    Fig 8.
    Maximum Safe Operating Area
    4
    www.irf.com

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