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    IRL7472L1 参数 Datasheet PDF下载

    IRL7472L1图片预览
    型号： IRL7472L1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. ]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 527 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
     浏览型号IRL7472L1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRL7472L1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRL7472L1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRL7472L1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRL7472L1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRL7472L1的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IRL7472L1的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IRL7472L1的Datasheet PDF文件第11页  
    IRL7472L1TRPbF  
    20  
    18  
    16  
    14  
    12  
    10  
    8
    2.5  
    2.0  
    1.5  
    1.0  
    0.5  
    0.0  
    I
    = 117A  
    = 34V  
    F
    V
    R
    T = 25°C  
    J
    T = 125°C  
    J
    I
    I
    I
    = 250µA  
    = 1.0mA  
    = 1.0A  
    D
    D
    D
    6
    4
    2
    100  
    200  
    300  
    400  
    500  
    600  
    -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180  
    , Temperature ( °C )  
    di /dt (A/µs)  
    T
    F
    J
    Fig 17. Threshold Voltage vs. Temperature  
    Fig 18. Typical Recovery Current vs. dif/dt  
    20  
    18  
    16  
    14  
    12  
    10  
    8
    1000  
    900  
    800  
    700  
    600  
    500  
    400  
    300  
    200  
    100  
    I
    = 195A  
    = 34V  
    F
    I
    = 117A  
    = 34V  
    V
    F
    R
    V
    T = 25°C  
    R
    J
    T = 25°C  
    T = 125°C  
    J
    J
    T = 125°C  
    J
    6
    4
    2
    100  
    200  
    300  
    400  
    500  
    600  
    100  
    200  
    300  
    400  
    500  
    600  
    di /dt (A/µs)  
    F
    di /dt (A/µs)  
    F
    Fig 20. Typical Stored Charge vs. dif/dt  
    Fig 19. Typical Recovery Current vs. dif/dt  
    1000  
    I
    F
    = 195A  
    = 34V  
    900  
    V
    R
    800  
    700  
    600  
    500  
    400  
    300  
    200  
    100  
    T = 25°C  
    J
    T = 125°C  
    J
    100  
    200  
    300  
    400  
    500  
    600  
    di /dt (A/µs)  
    F
    Fig 21. Typical Stored Charge vs. dif/dt  
    7
    2016-10-14  

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