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    IRL7472L1 参数 Datasheet PDF下载

    IRL7472L1图片预览
    型号： IRL7472L1
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    内容描述： [The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. ]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 527 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
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    IRL7472L1TRPbF  
    Fig 22. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel HEXFET® Power MOSFETs  
    V
    (BR)DSS  
    t
    p
    15V  
    DRIVER  
    +
    L
    V
    DS  
    D.U.T  
    AS  
    R
    G
    V
    DD  
    -
    I
    A
    20V  
    I
    0.01  
    t
    AS  
    p
    Fig 23a. Unclamped Inductive Test Circuit  
    Fig 23b. Unclamped Inductive Waveforms  
    Fig 24a. Switching Time Test Circuit  
    Fig 24b. Switching Time Waveforms  
    Id  
    Vds  
    Vgs  
    VDD  
    Vgs(th)  
    Qgs1  
    Qgs2  
    Qgd  
    Qgodr  
    Fig 25b. Gate Charge Waveform  
    Fig 25a. Gate Charge Test Circuit  
    8
    2016-10-14  

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