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    IS61C512-15N 参数 Datasheet PDF下载

    IS61C512-15N图片预览
    型号： IS61C512-15N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64K ×8高速CMOS静态RAM [64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 425 K
    品牌： ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
     浏览型号IS61C512-15N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IS61C512-15N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IS61C512-15N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS61C512-15N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS61C512-15N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS61C512-15N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS61C512-15N的Datasheet PDF文件第8页  
    IS61C512  
    WRITE CYCLE NO. 2 (CE1, CE2 Controlled)(1,2)  
    t
    WC  
    ADDRESS  
    t
    SA  
    tHA  
    t
    SCE1  
    CE1  
    CE2  
    t
    SCE2  
    t
    AW  
    t
    PWE  
    WE  
    t
    HZWE  
    tLZWE  
    HIGH-Z  
    DOUT  
    DATA UNDEFINED  
    t
    HD  
    t
    SD  
    DIN  
    DATA-IN VALID  
    Notes:  
    1. The internal write time is defined by the overlap of CE1 LOW, CE2 HIGH and WE LOW. All signals must be in valid states to  
    initiate a Write, but any one can go inactive to terminate the Write. The Data Input Setup and Hold timing are referenced to the  
    rising or falling edge of the signal that terminates the write.  
    2. I/O will assume the High-Z state if OE = HIGH.  
    Integrated Circuit Solution Inc.  
    7
    SR011-0B  

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